场效应管工作原理是什么？
场效应管工作原理是场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电。
它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
分类
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
场效应管的工作原理是什么？
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
1、场效应晶体管）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2、场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
3、按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应管工作原理
关于场效应管的工作原理，网上都是这么说：“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”，其实这句话就是一个病句，很拗口，让人很难理解；
下面指出这句话“病”在哪里；①“用”和“以”两字重复，“用”和“以”字都是用对象甲来做成对象乙的意思，例如“用变频器来控制电机转速”；但是“用以”的意思就完全不同了，“用以”的意思是对象甲用以做成对象乙，例如“变频器用以控制电机转速”，如果你说“用以变频器控制电机转速”是不是觉得非常拗口，非常不好理解？拗口就对了，因为这就是一个病句；
②“漏极-源极间流经沟道的ID”和这句话最后的“ID”重复，例如“电机转速，用变频器来控制电机转速”，是不是觉得这句也很拗口，很别扭？正确的说法是“电机转速，用变频器来控制”或者是“用变频器来控制电机转速”；
综上所述：这句话应该是“漏极-源极间流经沟道的ID，用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压来控制”或者是“用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压来控制漏极-源极间流经沟道的ID”，这才是场效应管工作原理的正确描述
场效应管是个什么东西 原理作用都是什么
1.场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2.场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。
其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
3.作用：
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
扩展资料
场效应管与三极管的各自应用特点
1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2.场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB控制iC。
3.场效应管栅极几乎不取电流；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。
4.场效应管是由多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件变化很大的情况下应选用场效应管。
5.场效应管在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。
6.场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
8.三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。
参考资料：
百度百科-场效应管场效应管工作原理是什么
场效应管是由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件。
场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。
分类：
场效应管可以分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，结型场效应管因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。因为绝缘栅型场效应管的栅极为金属铝，故又称为MOS管。
场效应管按导电方式的不同来划分，可分成耗尽型与增强型。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
场效应管的工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
MOS场效应管电源开关电路
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中，从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。
C-MOS场效应管
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
这些东西的电源电路大部分用的MOS，耐压在600V，电流6-10A左右都可以代换，但是这东西的驱动IC很多种，而且很多时候MOS坏连驱动IC也一起坏，像打雷弄坏的，买起来很麻烦，你买元件的时候买几个0380或0680的电源厚膜IC，（前缀有1M.5S====好多种)，等到没有驱动IC的时候代换原来的电源电路，很好用，我用它换过显示器，打印机，扫描仪的电源，都能正常工作。
我三极管，场管都有
常用场效应管参数大全
型 号 材料 管脚 用 途 参 数
3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W
4405/R9524
2E3C NMOS GDS 开 关 600V11A150W0.36
2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W
2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5
2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15
2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3
2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035
2SJ172 PMOS GDS 激 励 60V10A40W73/275nS0.18
2SJ175 PMOS GDS 激 励 60V10A25W73/275nS0.18
2SJ177 PMOS GDS 激 励 60V20A35W140/580nS0.085
2SJ201 PMOS n
2SJ306 PMOS GDS 激 励 60V14A40W30/120nS0.12
2SJ312 PMOS GDS 激 励 60V14A40W30/120nS0.12
2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB
2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB
2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB
2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB
2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB
2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB
2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
2SK214 NMOS GSD 高频高速开关 160V0.5A30W
2SK241 NMOS DSG 高频放大 20V0.03A0.2W100MHz1.7dB
2SK304 NJ GSD 音频功放 30V0.6-12mA0.15W
2SK385 NMOS GDS 高速开关 400V10A120W100/140nS0.6
2SK386 NMOS GDS 高速开关 450V10A120W100/140nS0.7
2SK413 NMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W0.5 (2SJ118)
2SK423 NMOS SDG 高速开关 100V0.5A0.9W4.5
2SK428 NMOS GDS 高速开关 60V10A50W45/65NS0.15
2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关 250V15A150W0.24可驱电机
2SK511 NMOS SDG 高速功放开关 250V0.3A8W5.0
2SK534 NMOS GDS 高速开关 800V5A100W4.0
2SK539 NMOS GDS 开关 900V5A150W2.5
2SK560 NMOS GDS 高速开关 500V15A100W0.4
2SK623 NMOS GDS 高速开关 250V20A120W0.15
2SK727 NMOS GDS 电源开关 900V5A125W110/420nS2.5
2SK734 NMOS GDS 电源开关 450V15A150W160/250nS0.52
2SK785 NMOS GDS 电源开关 500V20A150W105/240nS0.4
2SK787 NMOS GDS 高速开关 900V8A150W95/240nS1.6
2SK790 NMOS GDS 高速功放开关 500V15A150W0.4 可驱电机
2SK791 NMOS GDS 电源功放开关 850V3A100W4.5 可驱电机
2SK794 NMOS GDS 电源开关 900V5A150W2.5 可驱电机
2SK817 NMOS GDS 电源开关 60V26A35W40/230nS0.055
2SK832 NMOS GDS 高速开关 900V4A85W55/100nS4.0
2SK899 NMOS GDS 功放开关 500V18A125W130/440nS0.33
2SK962 NMOS GDS 电源开关 900V8A150W280/460nS2.0
2SK940 NMOS SDG 激励.驱动 60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动
2SK1007 NMOS GDS 功放开关 450V5A60W60/130nS1.6
2SK1010 NMOS GDS 高速开关 500V6A80W70/130nS1.6
2SK1011 NMOS GDS 高速开关 450V10A100W110/240nS0.65
2SK1012 NMOS GDS 高速开关 500V10A100W110/240nS0.9
2SK1015 NMOS GDS 功放开关 450V18A125W170/230nS0.45
2SK1016 NMOS GDS 电源开关 500V15A125W170/230nS0.55
2SK1017 NMOS GDS 电源开关 500V20A150W250/490nS0.35
2SK1019 NMOS GDS 电源开关 450V35A300W360/900nS0.2
2SK1020 NMOS GDS 电源开关 500V30A300W360/900nS0.25
2SK1060 NMOS GDS 功放开关 100V5A20W50/140nS0.27
2SK1081 NMOS GDS 激励,驱动 800V7A125W 145/250nS2.2
2SK1082 NMOS GDS 激励,驱动 900V8A125W 145/250nS2.8
2SK1094 NMOS GDS 激励,驱动 60V15A25W80/300nS0.065
2SK1101 NMOS GDS 功放开关 450V10A50W165/360nS0.65
2SK1117 NMOS GDS 电源开关 600V6A100W1.25
2SK1118 NMOS GDS 电源开关 600V6A45W65/105nSD1.25
2SK1119 NMOS GDS 电源开关 1000V4A100W3.8
2SK1120 NMOS GDS 电源开关 1000V8A150W1.8
2SK1161 NMOS GDS 电源开关 450V10A100W75/135nS0.8
2SK1170 NMOS GDS 电源开关 500V20A120W147/290nS0.27
2SK1180 NMOS GDS 投影机用 500V10A85W60/40nS0.6
2SK1195 NMOS GDS 电梯用 230V1.5A10W37/100nS
2SK1198 NMOS GDS 高速开关 700V2A35W20/80nS3.2
2SK1217 NMOS GDS 电源开关 90V8A100W280/460nS2.0
2SK1221 NMOS GDS 电源开关 250V10A80W60/150nS0.4
2SK1247 NMOS GDS 电源开关 500V5A30W50/90nS1.4
2SK1250 NMOS GDS 开关-感性 500V20A150W130/260nS0.35
2SK1254 NMOS GDS 低噪放大 120V3A20W25/195nS0.4
2SK1271 NMOS GDS 功放开关 1400V5A240W55/260nS4.0
2SK1272 NMOS GDS 高速开关 60V1A0.75W50/500nS0.65
2SK1329 NMOS GDS 电源开关 500V12A60W90/180nS0.6
2SK1358 NMOS GDS 电源开关 900V9A150W65/120nS1.4
2SK1374 NMOS 贴片 50V50mA0.15W0.2US/0.2US50
2SK1379 NMOS GDS 激励, 开关 60V50A150W78/640nS0.017
2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关 60V35A40W66/500nS0.035
2SK1388 NMOS GDS 激励, 开关 30V35A60W125/480nS0.022
2SK1419 NMOS GDS 高速开关 60V15A25W55/150nS0.08
2SK1445 NMOS GDS 高速开关 450V5A30W45/175nS1.4
2SK1459 NMOS GDS 高速开关 900V2.5A30W40/160nS6.0
2SK1460 NMOS GDS 高速开关 900V3.5A40W50/265nS3.6
2SK1463 NMOS GDS 高速开关 900V4.5A60W50/265nS3.6
2SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪 30V1.5A0.75W65/660nS4.5
2SK1507 NMOS GDS 高速开关 600V9A50W110/240nS1.0
2SK1535 NMOS GDS 通 用 900V3A30W45/110nS5.0
2SK1537 NMOS GDS 通 用 900V5A100W65/145nS3.0
2SK1540 NMOS GDS 变频开关功放 450V7A60W70/135nS0.8
2SK1544 NMOS GDS 变频开关功放 500V25A200W240/590S0.2
2SK1547 NMOS GDS 开关 800V4A40W95/170nS4.5
2SK1567 NMOS GDS 电源开关 500V7A35W70/135nS0.9
2SK1611 NMOS GDS 电源开关 800V3A50W40/135nS4.0
2SK1681 NMOS GDS 电源开关 500V30A300W180/320nS0.35
2SK1745 NMOS GDS 激励, 开关 500V18A150W120/210nS0.36
2SK1794 NMOS GDS 电源激励开关 900V6A100W50/105nS2.8
2SK1796 NMOS GDS 功放开关 900V10A150W90/230nS1.2
2SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动 60V10A1.8W110/360nS0.07
2SK1916 NMOS GDS 开关电源用 450V18A80W170/33nS0.45
2SK1937 NMOS GDS 开关UPS用 500V15A125W100/230nS0.48
2SK1985 NMOS GDS 开关UPS用 900V5A50W35/105nS2.8
2SK2039 NMOS GDS 电源开关 900V5A150W 70/210nS2.5
2SK2040 NMOS GDS 电源开关 600V2A20W 11/45nS5
2SK2082 NMOS GDS 开关UPS用 900V9A150W 85/210nS1.40
2SK2101 NMOS GDS 电源开关 800V6A50W 50/130nS2.1
2SK2141 NMOS GDS 传动驱动 600V6A35W 30/880nS1.1
2SK2147 NMOS GDS 开关UPS用 900V6A80W 145/250nS2.8
2SK2161 NMOS SDG 高速开关 200V9A25W 27/255nS0.45
2SK2189 NMOS GDS 高速开关 500V10A70W 70/400nS1.0
2SK2485 NMOS GDS 监视器用电源 900V6A100W 30/85 nS 2.80
2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源 900V8A140W 50/153nS1.1
2SK2611 NMOS GDS 监视器用电源 900V9A150W
2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源 500V15A125W
2SK4847 NMOS GDS 电源开关 100V36125W0.08
3SK103 NMOS gGDS 高频放大 15V0.02A0.2W900MHz
3SK122 NMOS gGDS 高频放大 20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB
BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0
BUZ11A NMOS GDS 开关 50V25A75W60/110nS0.055
BUZ20 NMOS GDS 功放开关 100V12A75W75/80nS
FS3KM NMOS GDS 高速开关 500V3A30W23/60nS4.4
FS5KM NMOS GDS 高速开关 900V3A53W50/190nS4.
FS7KM NMOS GDS 高速开关 900V5A50W35/105nS2.8
FS10KM NMOS GDS 高速开关
FS12KM NMOS GDS 高速开关 250V12A35W53/120nS0.40
FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关 800V7A150W1.6
H120N60 NMOS GDS 开关 600V120A
IRF130(铁)NMOS GDS 功放开关 100V14A79W75/45nS0.16
IRF230(铁)NMOS GDS 功放开关 200V9A75W50/40nS0.4
IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关 200V9A75W50/40nS0.4
IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关 500V8A125W35/30nS0.85
IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关 500V13A125W66/60nS0.4
IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关 500V13A125W66/60nS0.4
IRF530 NMOS GDS 功放开关 100V14A79W51/36nS0.18
IRF540 NMOS GDS 功放开关 100V28A150W110/75nS0.077
IRF541 NMOS GDS 功放开关 80V28A150W110/75nS0.077
IRF610 NMOS GDS 功放开关 200V3.3A43W26/13nS1.5
IRF630 NMOS GDS 功放开关 200V9A75W50/40nS0.4
IRF640 NMOS GDS 功放开关 200V18A125W77/54nS0.18
IRF720 NMOS GDS 功放开关 400V3.3A50W21/20nS1.8
IRF730 NMOS GDS 功放开关 400V5.5A75W29/24nS1.0
IRF740 NMOS GDS 功放开关 400V10A125W41/36nS0.55
IRF830 NMOS GDS 功放开关 500V4.5A75W23/23nS1.5
IRF840 NMOS GDS 功放开关 500V8A125W35/33nS0.85
IRF9530 PMOS GDS 功放开关 100V12A75W140/140nS0.4
IRF9531 PMOS GDS 功放开关 60V12A75W140/140S0.3
IRF9541 PMOS GDS 功放开关 60V19A125W140/141nS0.2
IRF9610 PMOS GDS 功放开关 200V1A20W25/15nS2.3
IRF9630 PMOS GDS 功放开关 200V6.5A75W100/80nS0.8
IRFS9630 PMOS GDS 功放开关 200V6.5A75W100/80nS0.8
IRFBC20 NMOS GDS 功放开关 600V2.2A50W15/30nS4.4
IRFBC30 NMOS GDS 功放开关 600V3.6A74W20/21nS2.2
IRFBC40 NMOS GDS 功放开关 600V6.2A125W27/30nS1.2
IRFBE30 NMOS GDS 功放开关 800V2.8A75W15/30nS3.5
IRFD120 NMOS 功放开关 100V1.3A1W70/70nS0.3
IRFD123 NMOS 功放开关 80V1.1A1W70/70nS0.3
IRFI730 NMOS GDS 功放开关 400V4A32W1.0
IRFI744 NMOS GDS 功放开关 400V4A32W1.0
IRFP054 NMOS GDS 功放开关 60V65A180W0.022
IRFP140 NMOS GDS 功放开关 100V29150W0.85
IRFP150 NMOS GDS 功放开关 100V40A180W210/140nS0.55
IRFP240 NMOS GDS 功放开关 200V19A150W0.18
IRFP250 NMOS GDS 功放开关 200V33A180W180/120nS0.08
IRFP340 NMOS GDS 功放开关 400V10A150W0.55
IRFP350 NMOS GDS 功放开关 400V16A180W77/71nS0.3
IRFP353 NMOS GDS 功放开关 350V14A180W77/71XnS0.4
IRFP360 NMOS GDS 功放开关 400V23A250W140/99nS0.2
IRFP440 NMOS GDS 功放开关 500V8.1A150W0.85
IRFP450 NMOS GDS 功放开关 500V14A180W66/60nS0.4
IRFP460 NMOS GDS 功放开关 500V20A250W120/98nS0.27
IRFP9140 PMOS GDS 功放开关 100V19A150W100/70nS0.2
IRFP9150 PMOS GDS 功放开关 100V25A150W160/70nS0.2
IRFP9240 PMOS GDS 功放开关 200V12A150W68/57nS0.5
IRFPF40 NMOS GDS 功放开关 900V4.7A150W2.5
IRFPG42 NMOS GDS 功放开关 1000V3.9A150W4.2
IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关 1000V3.9A150W4.2 *******
IRFU020 NMOS GDS 功放开关 50V15A42W83/39nS0.1
IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W
IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3
IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W
IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W
IXTP2P50 PMOS GDS 功放开关 500V2A75W5.5 代J117
J177 PMOS SDG 开关 30V1.5mA0.35W
M75N06 NMOS GDS 音频功放开关 60V75A120W
MTH8N100 NMOS GDS 功放开关 1000V8A180W175/180nS1.8
MTH10N80 NMOS GDS 功放开关 800V10A150W
MTM30N50 NMOS 功放开关 (铁)500V30A250W
MTM55N10 NMOS GDS 功放开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04
MTP27N10 NMOS GDS 功放开关 100V27A125W0.05
MTP2955 PMOS GDS 功放开关 60V12A75W75/50nS0.3
MTP3055 NMOS GDS 功放开关 60V12A75W75/50nS0.3
MTP40N06 NMOS GDS 功放开关 (双)60V40A150W/70nS0.3
MTW20N50 NMOS GDS 功放开关 500V20A250W0.27
RFP40N10 NMOS GDS 功放开关 100V40A160W30/20nS0.04
RFP50N02 NMOS GDS 功放开关 50V20A
RFP50N05 NMOS GDS 功放开关 50V50A132W55/15nS0.022
RFP50N06 NMOS GDS 功放开关 60V50A145W55/15nS0.022
RFP6N60 NMOS GDS 功放开关 600V6A75W80/100nS1.50
RFP60N06 NMOS GDS 功放开关 60V60A120W50/15nS0.03
RFP70N06 NMOS GDS 功放开关 60V70A150W
SMP50N06 NMOS GDS 功放开关 50V60A125W50nS0.026
SMP60N06NMOSG功放开关 60V60A125W50nS0.023RFP50N05 NMOS GDS 功放开关 50V50A132W55/15nS0.022
SMP50N06 NMOS GDS 功放开关 50V60A125W50nS0.026
SMP60N06 NMOS GDS 功放开关 60V60A125W50nS0.02
SMW11N20 NMOS GDS 功放开关 200V11A150W
SMW11P20 PMOS GDS 功放开关 200V11A150W
SMW20N10 NMOS GDS 功放开关 100V20A150W
SMW20N10 PMOS GDS 功放开关 100V20A150W
SSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关 900V7A150W
SSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关 600V6A150W
SSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关 900V5A125W
SSP7N80 NMOS GDS 高速电源开关 800V7A75W
SUP75N06 NMOS GDS 功放开关 60V75A125W0.05
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场效应管的识别
场效应管在电路中常用字母“v”、“VT”加数字表示，如VT1表示编号为1的场效应管。对于国产场效应三极管的型号， 现在有两种命名方法。一是与普通三极管相同：第三位宁母J代表结型场效应管，o代表绝缘栅炀效应管。第位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3D06C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是采用字母“CS”+“xx#”的形式，其中“cs”代表场效应管，“xx”以数字代表型号的序号，“#”用字母代表同‘型号中的不同规格，如CS16A、CS55G等。
常见的金属封装场效应管的外形图如图6-9所示。常见的塑料封装场效应管的外形图如图6. 10所示。
在国家标准电路中，常用场效应管的符号如图6-11所示。
目前，在有些人功率MOSFET管中的G-S极间或者D-S极间增加了保护二极管，以保护管了不至于被静电击穿。这种管子的电路图符号如图6-12所示。
与普通晶体管一样，场效应管也自三个引脚，分别足门板（义称栅极）、源极、漏极3
个端子。场效应管可看作是一只普通晶体三极管，栅极（闸极）G对应基极b，漏极D对应
集电极c，源极s对应发射极e（N沟道对应NPN型晶体管，P沟道对应PNP型晶体管）。
场效应管引脚排列位置依其品种、型号及功能等不l司而异。要正确使用场效应管，首先必须识别出场效应管的各个电极。对于大功率场效应管来说，从左至右，其引脚排列基本为G、D、S极（散热片接D极）；采用绝缘底板模块封装的特种场效应管通常有叫个引脚，上面的两个通常为两个S极（相连），下面的两个分别为G、D极；采用贴片封装的场效应管，其散热片是D檄，卜面的i个引脚（无沦中问脚是否被剪短）分别是G、D、S极，如图6-13所示。
罔6—1 3贴片场效应管引脚排列
用指针式万用表检测场效应管
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅一源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可存极间电容上形成市H当高的电压( U=Q/C)，将管子损坏。凶此出厂时各引脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极5S极短接，防止积累静电倚。管子不用时，全部引脚也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电措施。
测量前，先把人体对地短路后，才能触摸MOSFET的引脚。最好在手腕卜接一条导线与
大地连通，使人体与大地保持等电位，再把引脚分开，然后拆掉导线。
根据PN结的正、反向电阻值不同的现象可以很方便地判别出结型场效应管的G、D、S极。 ．
将万用表置j：Rxlk挡，任选两电极，分别测出它们之间的正、反向电阻。若正、反向
电阻值相等（约几千欧），则该两极为漏极D和源极S（结型场效应管的D、S极可百换），
余F的则为栅极(闸极)G。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一支表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当}}；现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极（闸极>，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，则说明PN结为反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极（闸极）。若两次测出的电阻值均很小，则说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，
黑表笔接的也足栅极（闸檄）。若不出现上述情况，则可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极（闸极）为止。
4场效应管跨导测量小意图
用数字万用表检测场效应管
利用数宁万用表不仅能判定场效应管的电极，还可以测量场效应管的跨导（放大系数）。由于数宁万用表电阻挡的测试电流很小，所以不适用于检测场效虑管，应使用h FE挡进行测试。将场效应管的G、D、S极分别插入hFE测量插座的B、C、E孔中（N沟道管插入NPN插座中，P沟道管插入PNP插座中），此时，显示屏上会显示一个数值，这个数值就是场效应管的跨导（放大系数），如图6-14所示；若电极插错或极性插错，则显示屏都不会显示出这个数值，此时将显示为“ooo”或“1”，如图6-15、图6-16所示。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
场效应管的使用情况及作用：
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
扩展资料：
场效应管的使用优势：
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
参考资料：
百度百科-三极管
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